ASML:中方开端封闭EUV的大门
日期:2025-05-23 05:35:52 来源:星空体育官方平台
一、从-给图纸造不出-到-另辟蹊径-:我国光刻技能的逆袭2018年,ASML高管曾高傲断语:-即便给我国图纸,他们也造不出光刻机。
- 但是,2025年3月25日,我国科学院宣告成功研制全固态深紫外(DUV)激光光源技能,直接瞄准3nm芯片工艺需求。
这一打破不只让ASML的嘲讽沦为笑柄,更标志着我国半导体工业正式向全球技能独占建议全面应战。
ASML的DUV光刻机依靠氟化氙准分子激光技能,经过杂乱的气体混合生成193nm波长的紫外光,但其技能被2万多项专利封闭,且能耗高、保护杂乱。
中科院的固态DUV光源另辟蹊径:使用Yb:YAG晶体生成1030nm红外激光,经过谐波转化和光学参数扩展,终究混合出193nm激光,且体积缩小、能耗下降70%,在不发生有毒气体的情况下,其光谱纯度与ASML相差无几。
二、技能中心:推翻性立异与短板并存中科院的全固态DUV光源技能展示了三大优势:1. 途径推翻:绕过ASML的专利封闭,从材料到工艺完成彻底自主化;2. 环保节能:无需氟气等危险气体,削减污染和供给链依靠;3. 性能对标:光谱纯度到达ASML水平,支撑3nm工艺需求。
不过,短板相同显着:当时输出功率仅70mW(ASML为100-120瓦),频率6kHz(ASML为8k-9kHz),尚不足以满意量产需求。
但固态技能的工程优化空间更大——无需处理气体废料、结构简化后,功率提高的瓶颈或许被更快打破。
三、工业冲击波:EUV独占位置不坚定,ASML骑虎难下这一技能打破对我国半导体工业链的自主化含义深远:1. 3nm工艺冲击:DUV经过多重曝光可完成7nm乃至3nm工艺,若我国完成量产,将直接削弱EUV光刻机的-无法代替性-;2. 工业链闭环:国产光刻机的双工件台、物镜体系、光刻胶等配套技能已老练,光源打破补上了最终一块短板;3. 本钱优势:固态DUV的保护和能耗本钱更低,或许以价格战冲击台积电、三星的3nm商场。
其2024年财报显现,我国大陆贡献了36.1%的营收(101.95亿欧元),但ASML猜测在2025年后将我国商场占有率紧缩至20%以下。
一起,ASML对华政策摇摆不定——一边晋级北京维修中心以稳固商场,一边在美国施压下中止部分设备维修服务,乃至约束向华为供给5nm芯片技能。
四、未来之战:从实验室到量产,我国芯片的-长征-虽然固态DUV光源技能迈出了要害一步,但间隔量产仍面对两大距离:1. 工程化应战:功率和频率需提高至少两个数量级,且需与国产光刻机的其他模块(如物镜、对准体系)无缝整合;2. 全球竞赛压力:ASML正加快下一代高数值孔径(High-NA)EUV研制,方针在2030年完成440-600亿欧元营收。
例如,日本佳能的纳米压印技能(NIL)虽本钱低,但缺点率高;我国激光驱动等离子体(LDP)技能虽在光源功率上落后,却具有绕过掩膜版的灵活性。
若全固态DUV能首先打破量产,我国或将成为全世界少量一起把握DUV和LDP两条技能道路的国家。
五、结语:封闭与反向封闭的辩证法ASML创始人曾称:-光刻机是物理学与本钱的结合,缺一不可。
从-图纸造不出-到-另辟蹊径-,我国芯片的逆袭印证了-封闭越严,打破越狠-的前史规则,现在就连ASML都感叹:中方开端封闭EUV的大门了。
当然,咱们不发起盲目的吹捧,这场-芯战-还远未完毕,到现在,ASML的EUV仍是5nm以下工艺的霸主,而国产DUV的包围仅是第一步。
未来,我国需求加快技能迭代、构建全球供给链话语权,并在世界标准拟定中抢夺座位。
你们以为我国芯片技能需求多久才干与世界巨子齐头并进?是全固态DUV首先量产,仍是LDP后发先至?欢迎在谈论区留下你的观念,一起见证-我国芯-的破冰时刻!
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